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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | S-XUUC-N2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJEC350 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, DIE-2 |
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| MJF10012 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plasti |
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| MJF122 | ONSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30 W |
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| MJF122 | MOTOROLA |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS |
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| MJF122 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| MJF122 | ROCHESTER |
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5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, CASE 221D-03, TO-220, 3 PIN |
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| MJF122 | NJSEMI |
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Trans Darlington NPN 100V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Rail |
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| MJF122G | ONSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30 W |
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| MJF122G | ROCHESTER |
获取价格 |
5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221D-03, TO-220, 3 PIN |
|
| MJF127 | ONSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30 W |
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