5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 550 ns |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD42CT4(TO-25) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
|
| MJD42CT4(TO-251) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
|
| MJD42CT4(TO-252-2L) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
|
| MJD42CT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD42CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier |
|
| MJD42C-TP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| MJD42R-HAF | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| MJD44 | MOTOROLA |
获取价格 |
NPN DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
|
| MJD44 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK |
|
| MJD44 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
