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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 550 ns |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD42C-1(TO-25) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
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| MJD42C-1(TO-251) | CJ |
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Transistor |
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| MJD42C-1(TO-252-2L) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
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| MJD42C1G | ONSEMI |
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Complementary Power Transistors |
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| MJD42CG | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD42CHE3 | MCC |
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Tape & Reel:2.5Kpcs/Reel; |
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| MJD42CQ | DIODES |
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PNP, 100V, 6A, TO252 |
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| MJD42CQ | YANGJIE |
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TO-252 |
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| MJD42C-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 6 A PNP high power bipolar transistorProduction |
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| MJD42CRL | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
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