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MDD5N40RH

更新时间： 2024-09-16 01:11:03
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美格纳 - MGCHIP /
页数 文件大小 规格书
7页 871K
描述
N-Channel MOSFET 400V, 3.4 A, 1.6(ohm)

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MDD5N40RH 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.79峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

MDD5N40RH 数据手册

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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ MDI5N40/MDD5N40  
ꢀ NꢁChannelꢀMOSFETꢀ400V,ꢀ3.4ꢀA,ꢀ1.6Ω  
GeneralꢀDescriptionꢀ  
Featuresꢀ  
ꢀ
ꢀ
TheꢀMDI5N40ꢀ/ꢀMDD5N40ꢀuseꢀadvancedꢀ  
Magnachip’sꢀMOSFETꢀTechnology,ꢀwhichꢀprovidesꢀ  
lowꢀonꢁstateꢀresistance,ꢀhighꢀswitchingꢀperformanceꢀ  
andꢀexcellentꢀquality.ꢀ  
ꢀꢀVDSꢀ=ꢀ400Vꢀ  
ꢀꢀIDꢀ=ꢀ3.4Aꢀ  
ꢀꢀRDS(ON)ꢀꢀ ≤ꢀ1.6ꢀꢀ  
ꢀ
ꢀ
@VGSꢀ=ꢀ10Vꢀ  
@VGSꢀ=ꢀ10Vꢀ  
ꢀ
MDI5N40ꢀisꢀsuitableꢀdeviceꢀforꢀSMPS,ꢀHIDꢀandꢀ  
generalꢀpurposeꢀapplications.ꢀ  
ꢀ
Applicationsꢀ  
ꢀ
ꢀꢀPowerꢀSupplyꢀ  
ꢀꢀPFCꢀ  
ꢀꢀBallastꢀ  
IꢁPAKꢀ  
(TOꢁ251)ꢀ  
ꢀ GꢀDꢀSꢀ  
G
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
AbsoluteꢀMaximumꢀRatingsꢀ(Taꢀ=ꢀ25oC)ꢀ ꢀ  
Characteristicsꢀ  
ꢀ
Symbolꢀ  
Ratingꢀ  
Unitꢀ  
Vꢀ  
ꢀ ꢀ DrainꢁSourceꢀVoltageꢀ  
VDSS  
ꢀ
400ꢀ  
±30ꢀ  
ꢀ ꢀ GateꢁSourceꢀVoltageꢀ  
VGSS  
ꢀ
Vꢀ  
ꢀ TC=25oCꢀ  
ꢀ TC=100oCꢀ  
3.4ꢀ  
Aꢀ  
ꢀ ꢀ ContinuousꢀDrainꢀCurrentꢀ  
IDꢀ  
2.15ꢀ  
13.6ꢀ  
45ꢀ  
Aꢀ  
ꢀ ꢀ PulsedꢀDrainꢀCurrent(1)  
ꢀ ꢀ PowerꢀDissipationꢀ  
ꢀ
IDM  
ꢀ
Aꢀ  
ꢀ TC=25oCꢀ  
Derateꢀaboveꢀ25 oCꢀ  
Wꢀ  
PDꢀ  
W/ oCꢀ  
0.36ꢀ  
4.5ꢀ  
ꢀ ꢀ PeakꢀDiodeꢀRecoveryꢀdv/dt(3)  
ꢀ ꢀ RepetitiveꢀPulseꢀAvalancheꢀEnergy(4)  
ꢀ ꢀ SingleꢀPulseꢀAvalancheꢀEnergy(4)  
ꢀ
Dv/dtꢀ  
V/nsꢀ  
mJꢀ  
mJꢀ  
oC  
ꢀ
EAR  
ꢀ
ꢀ
4.5ꢀ  
ꢀ
EAS  
170ꢀ  
ꢀ ꢀ JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRangeꢀ  
TJ,ꢀTstg  
ꢀ
ꢁ55~150ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ThermalꢀCharacteristicsꢀ  
Characteristicsꢀ  
Symbolꢀ  
Ratingꢀ  
Unitꢀ  
ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁAmbient(1)  
ꢀ
RθJA  
ꢀ
110ꢀ  
oC/Wꢀ  
ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁCase(1)  
ꢀ
RθJC  
ꢀ
2.75ꢀ  
ꢀ
ꢀ
1
Dec.ꢀ2011.ꢀVersionꢀ1.5ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ MagnaChipꢀSemiconductorꢀLtd.  
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与MDD5N40RH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MDD5N50 MGCHIP

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 		N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4(ohm)
MDD5N50FRH MGCHIP

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 		DPAK
MDD5N50GRH MGCHIP

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 		High Rg
MDD5N50RH MGCHIP

获取价格

 		N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4(ohm)
MDD600-14N1 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 883A, 1400V V(RRM), Silicon, MODULE-3
MDD600-16N1 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 883A, 1600V V(RRM), Silicon, MODULE-3
MDD600-18N1 IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 883A, 1800V V(RRM), Silicon, MODULE-3
MDD600-20N1 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 883A, 2000V V(RRM), Silicon, MODULE-3
MDD600-22N1 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 883A, 2200V V(RRM), Silicon, MODULE-3
MDD630-30N2 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode,

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