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MDD72

更新时间： 2024-11-17 21:54:55
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IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 129K
描述
Diode Modules

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MDD72 数据手册

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MDD 72  
MDA 72  
IFRMS = 2x 180 A  
IFAVM = 2x 113 A  
Diode Modules  
VRRM = 800-1800 V  
3
3
1
1
2
3
TO-240 AA  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
MDD  
2
2
900  
1300  
1500  
1700  
1900  
800  
1200  
1400  
1600  
1800  
MDD 72-08N1 B MDA 72-08N1 B  
MDD 72-12N1 B  
---  
MDD 72-14N1 B MDA 72-14N1 B  
MDD 72-16N1 B MDA 72-16N1 B  
MDD 72-18N1 B  
---  
MDA  
Features  
●
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
International standard package  
JEDEC TO-240 AA  
Direct copper bonded Al2O3 -ceramic  
base plate  
Planar passivated chips  
Isolation voltage 3600 V~  
UL registered, E 72873  
IFRMS  
IFAVM  
TVJ = TVJM  
TC = 92°C; 180° sine  
TC = 100°C; 180° sine  
180  
113  
99  
A
A
A
●
IFSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1700  
1950  
A
A
●
●
●
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1540  
1800  
A
A
òi2dt  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
14 450  
15 700  
A2s  
Applications  
A2s  
●
Supplies for DC power equipment  
DC supply for PWM inverter  
Field supply for DC motors  
Battery DC power supplies  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
11 850  
13 400  
A2s  
A2s  
●
●
●
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
Advantages  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 min  
t = 1 s  
3000  
3600  
V~  
V~  
●
Space and weight savings  
Simple mounting  
Improved temperature and power  
●
IISOL £ 1 mA  
●
Md  
Mounting torque (M5)  
Terminal connection torque (M5)  
2.5-4/22-35 Nm/lb.in.  
2.5-4/22-35 Nm/lb.in.  
cycling  
Reduced protection circuits  
●
Weight  
Typical including screws  
90  
g
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
TVJ = TVJM; VR = VRRM  
15 mA  
VF  
IF = 300 A; TVJ = 25°C  
1.6  
0.8  
2.3 mW  
V
V
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
QS  
IRM  
TVJ = 125°C; IF = 50 A, -di/dt = 3 A/ms  
170  
45  
mC  
A
RthJC  
per diode; DC current  
per module  
per diode; DC current  
per module  
0.35 K/W  
0.175 K/W  
0.55 K/W  
0.275 K/W  
other values  
see Fig. 6/7  
RthJK  
dS  
dA  
a
Creepage distance on surface  
Strike distance through air  
Maximum allowable acceleration  
12.7 mm  
9.6 mm  
50 m/s2  
Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MDD72-04N1 IXYS

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 		Rectifier Diode, 99A, 400V V(RRM),
MDD72-04N1 LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 99A, 400V V(RRM),
MDD72-04N1B IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 99A, 400V V(RRM), Silicon,
MDD72-06N1 IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 99A, 600V V(RRM),
MDD72-06N1 LITTELFUSE

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 		暂无描述
MDD72-06N1B IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 99A, 600V V(RRM), Silicon,
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 		Diode Modules
MDD72-08N1B LITTELFUSE

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 		双二极管模块产品组合提供多种封装，击穿电压高达2200V。
MDD72-12N1 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 99A, 1200V V(RRM),

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