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MDD810-18N1

更新时间： 2024-11-06 14:53:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
9页 332K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1342A, 1800V V(RRM), Silicon,

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MDD810-18N1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-XUFM-X3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.71
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：17300 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最大输出电流：1342 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1800 V
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

MDD810-18N1 数据手册

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Date: 2 May 2008  
IXYS  
Data Sheet Issue: 1  
Dual Diode Modules MD#810-12N1-18N1  
Absolute Maximum Ratings  
VRRM  
VDRM  
[V]  
MDA  
MDK  
MDD  
1200  
1400  
1600  
1800  
810-12N1  
810-14N1  
810-16N1  
810-18N1  
810-12N1  
810-14N1  
810-16N1  
810-18N1  
810-12N1  
810-14N1  
810-16N1  
810-18N1  
MAXIMUM  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
LIMITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage 1)  
Repetitive peak reverse voltage 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage 1)  
1200-1800  
1300-1900  
1200-1800  
1300-1900  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IF(AV)M  
IF(AV)M  
Maximum average on-state current, TC = 85°C 2)  
Maximum average on-state current. TC = 100°C 2)  
807  
A
A
664  
IF(RMS)M Nominal RMS on-state current, TC = 55°C 2)  
1661  
A
IF(d.c.)  
IFSM  
IFSM2  
I2t  
D.C. on-state current, TC = 55°C  
1342  
A
3)  
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
17.3  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
V
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM ≤ 10V 3)  
19  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
1.48×106  
1.81×106  
3000  
3)  
I2t  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM ≤ 10 V 3)  
Isolation Voltage 4)  
VISOL  
Tvj op  
Tstg  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
-40 to +150  
-40 to +150  
°C  
°C  
Notes:  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tvj below 25°C.  
2) Single phase; 50 Hz, 180° half-sinewave.  
3) Half-sinewave, 150°C Tvj initial.  
4) AC RMS voltage, 50 Hz, 1min test  
Rating Report. Types MD#810-12N1 to MD#810-18N1 Issue 1  
Page 1 of 9  
May, 2008  
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与MDD810-18N1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MDD810-18N2 LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode,
MDD8T3475R3575A APITECH

获取价格

 		Duplexer, 3475MHz(Tx), 3575MHz(Rx)
MDD95 IXYS

获取价格

 		Diode Modules
MDD950-12N1W LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1129A, 1200V V(RRM), Silicon,
MDD950-14N1W LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1129A, 1400V V(RRM), Silicon,
MDD950-18N1W IXYS

获取价格

 		DIODE MODULE 1.8KV 950A
MDD950-20N1W LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1129A, 2000V V(RRM), Silicon,
MDD950-22N1W IXYS

获取价格

 		DIODE MODULE 2.2KV 950A
MDD95-04N1B IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 400V V(RRM), Silicon,
MDD95-06N1B IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 600V V(RRM), Silicon,

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