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MDD600-16N1

更新时间： 2024-11-05 20:01:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
9页 347K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 883A, 1600V V(RRM), Silicon, MODULE-3

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MDD600-16N1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-XUFM-X3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X3元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：883 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1600 V
最大反向恢复时间：18 µs表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MDD600-16N1 数据手册

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Date: 13.09.2004  
IXYS  
Data Sheet Issue: 2  
Dual Diode Modules MD# 600  
Absolute Maximum Ratings  
VRRM  
VDRM  
[V]  
MDA  
MDK  
MDD  
1200  
1400  
1600  
1800  
2000  
2200  
600-12N1  
600-14N1  
600-16N1  
600-18N1  
600-20N1  
600-22N1  
600-12N1  
600-14N1  
600-16N1  
600-18N1  
600-20N1  
600-22N1  
600-12N1  
600-14N1  
600-16N1  
600-18N1  
600-20N1  
600-22N1  
MAXIMUM  
UNITS  
VOLTAGE RATINGS  
LIMITS  
Repetitive peak reverse voltage 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage 1)  
1200-2200  
1300-2300  
V
V
VRRM  
VRSM  
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IF(AV)M  
IF(AV)M  
IF(AV)M  
IF(RMS)  
IF(d.c.)  
ITSM  
Maximum average forward current. Tcase = 111°C 2)  
Maximum average forward current. Tcase = 85°C 2)  
Maximum average forward current. Tcase = 100°C 2)  
Nominal RMS forward current. Tcase = 55°C 2)  
D.C. forward current. Tcase = 55°C  
600  
A
A
883  
726  
A
1818  
A
1158  
A
3)  
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM ≤ 10 V 3)  
21.8  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
V
ITSM2  
I2t  
I2t  
24.0  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
2.38×106  
2.88×106  
3500  
3)  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM ≤ 10 V 3)  
Isolation Voltage 4)  
Visol  
Tj op  
Operating temperature range  
Maximum junction temperature  
Storage temperature range  
-40 to +125  
+150  
°C  
°C  
°C  
Tj max  
Tstg  
-40 to +125  
Notes:  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Single phase; 50 Hz, 180° half-sinewave.  
3) Half-sinewave, 150°C Tj initial.  
4) AC RMS voltage, 50 Hz, 1min test.  
Data Sheet. MD#600-12N1 to 22N1 Issue 2  
Page 1 of 9  
September, 2004  
1234567...9

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与MDD600-16N1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MDD600-18N1 IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 883A, 1800V V(RRM), Silicon, MODULE-3
MDD600-20N1 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 883A, 2000V V(RRM), Silicon, MODULE-3
MDD600-22N1 LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 883A, 2200V V(RRM), Silicon, MODULE-3
MDD630-30N2 LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode,
MDD630-30N2HAD LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode,
MDD630-36N2 LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode,
MDD630-36N2HAD LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode,
MDD710-22N1 IXYS

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 		DIODE 1198 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
MDD710-24N1 IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1198A, 2400V V(RRM), Silicon,
MDD710-26N1 IXYS

获取价格

 		DIODE 1198 A, 2600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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