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MCR706ATR13 PDF预览

MCR706ATR13

更新时间： 2024-11-02 20:58:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅栅极
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 4000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, DPAK-3

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MCR706ATR13 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.64外壳连接：ANODE
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：10 V/us
最大直流栅极触发电流：0.075 mA最大直流栅极触发电压：0.8 V
最大维持电流：2 mAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0最大漏电流：0.2 mA
通态非重复峰值电流：15 A元件数量：1
端子数量：2最大通态电流：4000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：4 A断态重复峰值电压：400 V
重复峰值反向电压：400 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

MCR706ATR13 数据手册

 浏览型号MCR706ATR13的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
MCR703A MCR704A  
MCR706A MCR708A  
Semiconductor Corp.  
4.0 AMP SCR  
100 THRU 600 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MCR703A,  
MCR704A, MCR706A, and MCR708A are epoxy  
molded Silicon Controlled Rectifiers designed for  
sensing circuit applications and control systems.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
DPAK THYRISTOR CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
MCR703A MCR704A MCR706A MCR708A UNITS  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
I
V
100  
200  
400  
600  
V
DRM, RRM  
RMS On-State Current (T =85°C)  
C
Peak non-Repetitive Surge Current  
(1/2 cycle Sine wave, 50Hz/60Hz)  
4.0  
15  
A
A
T(RMS)  
I
TSM  
I2t Value for Fusing (t=10ms)  
Peak Gate Power (tp=1µs)  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current (tp=1µs)  
I2t  
P
1.1  
0.5  
0.1  
0.2  
50  
A2s  
W
GM  
P
I
W
G(AV)  
A
GM  
Critical Rate of Rise of On-State Current di/dt  
A/µs  
°C  
°C  
Storage Temperature  
Junction Temperature  
T
T
-40 to +150  
-40 to +125  
stg  
J
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
µA  
I
I
I
I
I
Rated V  
Rated V  
V
R
=1KΩ  
10  
200  
75  
DRM, RRM  
DRM, RRM, GK  
, V  
I
R
=1KΩ, T =125°C  
µA  
DRM, RRM  
DRM RRM, GK  
C
V =12V, R =10Ω  
38  
µA  
GT  
H
D
L
I =50mA, R =1KΩ  
GK  
0.25  
0.55  
1.6  
2.0  
0.8  
1.8  
mA  
V
T
V
V =12V, R =10Ω  
GT  
TM  
D
L
V
I
=8.0A, tp=380µs  
2
V
TM  
dv/dt  
V = / V  
R
=1KΩ, T =125°C  
10  
V/µs  
3
D
DRM, GK  
C
R0 (9-May 2005)  
12

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