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MCR718 PDF预览

MCR718

更新时间： 2024-11-01 11:04:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 470K
描述
SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 4 AMP, 400 THRU 600 VOLTS

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MCR718 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.11Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.075 mAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：4 A断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

MCR718 数据手册

 浏览型号MCR718的Datasheet PDF文件第2页 
MCR716  
MCR718  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
4 AMP, 400 THRU 600 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MCR716 and  
MCR718 are epoxy molded Silicon Controlled  
Rectifiers designed for sensing circuit applications and  
control systems.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
DPAK THYRISTOR CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
MCR716  
MCR718  
UNITS  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
400  
600  
V
A
DRM, RRM  
I
RMS On-State Current (T =85°C)  
C
4.0  
T(RMS)  
Peak non-Repetitive Surge Current  
(1/2 cycle Sine wave, 50Hz/60Hz)  
I
15  
A
A2s  
W
TSM  
I2t  
2
I t Value for Fusing, t=10ms  
1.1  
Peak Gate Power, tp=1.0μs  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current, tp=1.0μs  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Storage Temperature  
P
0.5  
0.1  
0.2  
50  
GM  
P
W
G(AV)  
I
A
GM  
di/dt  
A/μs  
°C  
°C  
T
-40 to +150  
-40 to +125  
stg  
Junction Temperature  
T
J
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
UNITS  
μA  
I
I
I
I
I
Rated V  
V
R
=1.0KΩ  
DRM, RRM  
DRM, RRM, GK  
I
Rated V  
V
R
=1.0KΩ, T =125°C  
200  
75  
μA  
DRM, RRM  
DRM, RRM, GK  
C
V =12V, R =10Ω  
1.0  
38  
μA  
GT  
H
D
L
I =50mA, R =1.0KΩ  
0.25  
0.55  
1.6  
2.0  
0.8  
1.8  
mA  
V
T
GK  
V
V =12V, R =10Ω  
GT  
TM  
D
L
V
I
=8.0A, tp=380μs  
2
V
TM  
dv/dt  
V = / V  
R
=1.0KΩ, T =125°C  
10  
V/μs  
3
D
DRM, GK  
C
R1 (1-March 2010)  
12

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