Datasheet > MCM69F536BTQ9

MCM69F536BTQ9

更新时间： 2024-09-20 04:05:03

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	378K
描述
Cache SRAM, 32KX36, 9ns, BICMOS, PQFP100, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MCM69F536BTQ9 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TQFP-100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.54	最长访问时间：	9 ns
其他特性：	SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE CONTROL	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	1179648 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	100	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	20 °C
组织：	32KX36	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.055 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.32 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM69F536BTQ9R	MOTOROLA	获取价格	32K X 36 CACHE SRAM, 9 ns, PQFP100, TQFP-100
MCM69F536C	MOTOROLA	获取价格	32K x 36 Bit Flow-Through BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM69F536CTQ10	MOTOROLA	获取价格	32K x 36 Bit Flow-Through BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM69F536CTQ10	NXP	获取价格	32KX36 CACHE SRAM, 10ns, PQFP100, TQFP-100
MCM69F536CTQ10R	MOTOROLA	获取价格	32K x 36 Bit Flow-Through BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM69F536CTQ10R	NXP	获取价格	IC,SYNC SRAM,32KX36,BICMOS-TTL,QFP,100PIN,PLASTIC
MCM69F536CTQ12	MOTOROLA	获取价格	32K x 36 Bit Flow-Through BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM69F536CTQ12R	MOTOROLA	获取价格	32K x 36 Bit Flow-Through BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM69F536CTQ12R	NXP	获取价格	IC,SYNC SRAM,32KX36,BICMOS-TTL,QFP,100PIN,PLASTIC
MCM69F536CTQ8.5	MOTOROLA	获取价格	32K x 36 Bit Flow-Through BurstRAM Synchronous Fast Static RAM