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MCM69F536BTQ9R

更新时间: 2024-09-20 05:15:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 378K
描述
32K X 36 CACHE SRAM, 9 ns, PQFP100, TQFP-100

MCM69F536BTQ9R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.54
最长访问时间:9 ns其他特性:SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE CONTROL
JESD-30 代码:R-PQFP-G100长度:20 mm
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:36功能数量:1
端口数量:1端子数量:100
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:110 °C
最低工作温度:20 °C组织:32KX36
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:OTHER端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
宽度:14 mmBase Number Matches:1

MCM69F536BTQ9R 数据手册

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