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MCM69F536TQ8.5

更新时间: 2024-09-20 10:22:43
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 339K
描述
32KX36 CACHE SRAM, 8.5ns, PQFP100, TQFP-100

MCM69F536TQ8.5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TQFP-100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91最长访问时间:8.5 ns
其他特性:SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITEI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:36
功能数量:1端口数量:1
端子数量:100字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:SYNCHRONOUS
组织:32KX36输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:BICMOS端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD宽度:14 mm

MCM69F536TQ8.5 数据手册

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