是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TQFP-100 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 8.5 ns |
其他特性: | SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 1179648 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 32KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BICMOS | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 14 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MCM69F536TQ8.5R | MOTOROLA |
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Cache SRAM, 32KX36, 8.5ns, BICMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
MCM69F618ATQ10R | MOTOROLA |
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64KX18 CACHE SRAM, 10ns, PQFP100, TQFP-100 | |
MCM69F618ATQ12 | MOTOROLA |
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Cache SRAM, 64KX18, 12ns, BICMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
MCM69F618ATQ12R | MOTOROLA |
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Cache SRAM, 64KX18, 12ns, BICMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
MCM69F618ATQ8.5 | MOTOROLA |
获取价格 |
64KX18 CACHE SRAM, 8.5ns, PQFP100, TQFP-100 | |
MCM69F618ATQ8.5R | MOTOROLA |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 8.5ns, BICMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
MCM69F618ATQ9 | MOTOROLA |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 9ns, BICMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
MCM69F618ATQ9R | MOTOROLA |
获取价格 |
64KX18 CACHE SRAM, 9ns, PQFP100, TQFP-100 | |
MCM69F618C | MOTOROLA |
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64K x 18 Bit Flow-Through BurstRAM Synchronous Fast Static RAM | |
MCM69F618CTQ10 | MOTOROLA |
获取价格 |
64K x 18 Bit Flow-Through BurstRAM Synchronous Fast Static RAM |