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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-52 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 19 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 19.1262 mm |
| 内存密度： | 589824 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大待机电流： | 0.000075 A | 最小待机电流： | 4.75 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.225 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BICMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 19.1262 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCM67M518FN9 | MOTOROLA |
获取价格 |
32K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM |
|
| MCM67M618A | MOTOROLA |
获取价格 |
64K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM |
|
| MCM67M618AFN10 | MOTOROLA |
获取价格 |
64K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM |
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| MCM67M618AFN10 | NXP |
获取价格 |
IC,SYNC SRAM,64KX18,BICMOS-TTL,LDCC,52PIN,PLASTIC |
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| MCM67M618AFN10R | MOTOROLA |
获取价格 |
64KX18 CACHE SRAM, 10ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| MCM67M618AFN12 | MOTOROLA |
获取价格 |
64K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM |
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| MCM67M618AFN12R | MOTOROLA |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 12ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| MCM67M618AFN9 | MOTOROLA |
获取价格 |
64K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM |
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| MCM67M618AFN9R | MOTOROLA |
获取价格 |
64KX18 CACHE SRAM, 9ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
|
| MCM67M618B | MOTOROLA |
获取价格 |
64K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM |
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