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MCM67Q709AZP10

更新时间： 2024-09-18 22:06:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 143K
描述
128K x 9 Bit Separate I/O Synchronous Fast Static RAM

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MCM67Q709AZP10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA, BGA86,9X10
针数：86Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.69Is Samacsys：N
最长访问时间：5 ns其他特性：SELF TIMED WRITE; BOUNDARY SCAN
I/O 类型：SEPARATEJESD-30 代码：R-PBGA-B86
JESD-609代码：e0长度：17.78 mm
内存密度：1179648 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：9功能数量：1
端口数量：1端子数量：86
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX9
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA86,9X10封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.44 mm
子类别：SRAMs最大压摆率：0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：MOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：1.524 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：16.26 mm
Base Number Matches：1

MCM67Q709AZP10 数据手册

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by MCM67Q709A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
MCM67Q709A  
128K x 9 Bit Separate I/O  
Synchronous Fast Static RAM  
The MCM67Q709A is a 1,179,648–bit static random access memory, orga-  
nized as 131,072 words of 9 bits. It features separate TTL input and output buff-  
ers, which drive 3.3 V output levels and incorporates input and output registers  
on–board with high speed SRAM. It also features transparent–write and data  
pass–through capabilities.  
86 BUMP PBGA  
CASE 896A–02  
The synchronous design allows for precise cycle control with the use of an  
external single clock (K). The addresses (A0 – A16), data input (D0 – D8), data  
output (Q0 – Q8), write enable (W), chip enable (E), and output enable (G), are  
registered in on the rising edge of clock (K).  
PIN NAMES  
The control pins (E, W, G) function differently in comparison to most synchro-  
nous SRAMs. This device will not deselect with E high. The RAM remains active  
at all times. If E is registered high, the output pins (Q0 – Q8) will be driven if G  
is registered low. The transparent write feature allows the output data to track the  
input data. E, G, and W must be asserted to perform a transparent write (write  
and pass–through). The input data is available at the ouputs on the next rising  
edge of clock (K).  
The pass–through function is always enabled. E high disables the write to the  
array while allowing a pass–through cycle to occur on the next rising edge of  
clock (K). Only a registered G high will three–state the outputs.  
The MCM67Q709A is available in an 86–bump surface mount PBGA (Plastic  
Ball Grid Array) package.  
A0 – A16 . . . . . . . . . . . . . . . . . Address Input  
E . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Chip Enable  
W . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Write Enable  
G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Output Enable  
D0 – D8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Data Inputs  
Q0 – Q8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . Data Outputs  
K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Clock Input  
SCK . . . . . . . . . . . . . . . . . . Scan Clock Input  
SE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Scan Enable  
SDI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Scan Data Input  
SDO . . . . . . . . . . . . . . . . . Scan Data Output  
V
V
. . . . . . . . . . . . . . . . + 5 V Power Supply  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ground  
CC  
SS  
NC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . No Connection  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Single 5 V ± 5% Power Supply  
Fast Cycle Time: 10 ns Max  
Single Clock Operation  
PIN ASSIGNMENT  
TTL Input and Output Levels (Outputs LVTTL Compatible)  
Address, Data Input, E, W, G Registers On–Chip  
100 MHz Maximum Clock Cycle Time  
Self–Timed Write  
Separate Data Input and Output Pins  
Transparent–Write and Pass–Through  
High Output Drive Capability: 50 pF/Output at Rated Access Time  
Boundary Scan Implementation  
4
5
6
7
8
9
1
2
3
A
B
V
E
W
G
SDI SDO A4  
A0  
CC  
V
V
V
V
A16 A14  
D7  
K
A6  
A2  
D8  
SS  
SS  
SS  
SS  
C
D
E
F
A15 NC  
V
V
V
V
Q8  
V
SS  
SS  
SS  
SS  
V
Q7  
V
V
V
Q6 D6  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
PBGA Package for High Speed Operation  
D5  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V V  
SS CC  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
Q5  
D4 Q4  
D2 Q2  
CC  
SS  
SS  
SS  
G
D3  
Q3  
D1  
V
H
V
NC  
V
D0  
V
SS  
SS  
J
Q1  
A12 A10  
V
A9  
A8  
SE  
A5  
A7  
A1  
A3  
Q0  
SS  
K
A13 A11 SCK  
V
CC  
TOP VIEW  
86–BUMP  
Not to Scale  
REV 2  
12/23/97  
Motorola, Inc. 1997  
1234567...10

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与MCM67Q709AZP10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCM67Q709AZP10R MOTOROLA

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 		128K x 9 Bit Separate I/O Synchronous Fast Static RAM
MCM67Q709ZP10 MOTOROLA

获取价格

 		128KX9 STANDARD SRAM, PBGA86, PLASTIC, BGA-86
MCM67Q709ZP10R MOTOROLA

获取价格

 		128K X 9 STANDARD SRAM, 5 ns, PBGA86, PLASTIC, BGA-86
MCM67Q709ZP10R2 MOTOROLA

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 		Standard SRAM, 128KX9, 5ns, MOS, PBGA86, PLASTIC, BGA-86
MCM67Q709ZP12R MOTOROLA

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 		128KX9 STANDARD SRAM, 6ns, PBGA86, PLASTIC, BGA-86
MCM67Q709ZP12R2 MOTOROLA

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 		128KX9 STANDARD SRAM, PBGA86, PLASTIC, BGA-86
MCM67Q804WJ10R2 MOTOROLA

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 		256KX4 STANDARD SRAM, 5ns, PDSO36, 0.400 INCH, SOJ-36
MCM67Q804WJ12R2 MOTOROLA

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 		256KX4 STANDARD SRAM, 6ns, PDSO36, 0.400 INCH, SOJ-36
MCM67Q909 MOTOROLA

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 		512K x 9 Bit Separate I/O Synchronous Fast Static RAM
MCM67Q909ZP10 NXP

获取价格

 		IC,SYNC SRAM,512KX9,BICMOS-TTL,BGA,86PIN,PLASTIC

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