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MCM67M518AFN10

更新时间： 2024-09-19 15:41:11

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	279K
描述
32KX18 CACHE SRAM, 10ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

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MCM67M518AFN10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ, LDCC52,.8SQ	针数：	52
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	10 ns	其他特性：	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQCC-J52
JESD-609代码：	e0	长度：	19.1262 mm
内存密度：	589824 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	52
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX18
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC52,.8SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.57 mm
最大待机电流：	0.075 A	最小待机电流：	4.75 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.265 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	BICMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	19.1262 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM67M518AFN8.5	MOTOROLA	获取价格	32KX18 CACHE SRAM, 8.5ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
MCM67M518FN11	MOTOROLA	获取价格	32K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM67M518FN14	MOTOROLA	获取价格	32K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM67M518FN19	MOTOROLA	获取价格	Cache SRAM, 32KX18, 19ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
MCM67M518FN9	MOTOROLA	获取价格	32K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM67M618A	MOTOROLA	获取价格	64K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM67M618AFN10	MOTOROLA	获取价格	64K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM67M618AFN10	NXP	获取价格	IC,SYNC SRAM,64KX18,BICMOS-TTL,LDCC,52PIN,PLASTIC
MCM67M618AFN10R	MOTOROLA	获取价格	64KX18 CACHE SRAM, 10ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
MCM67M618AFN12	MOTOROLA	获取价格	64K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM