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MCM67H518AFN10

更新时间： 2024-09-18 14:53:15

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	573K
描述
Cache SRAM, 32KX18, 10ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

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MCM67H518AFN10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, LCC-52	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	10 ns
其他特性：	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQCC-J52	JESD-609代码：	e0
长度：	19.1262 mm	内存密度：	589824 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	52	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX18	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC52,.8SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.57 mm	最大待机电流：	0.075 A
最小待机电流：	4.75 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.265 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	19.1262 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM67H518AFN8.5	MOTOROLA	获取价格	32KX18 CACHE SRAM, 8.5ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
MCM67H518AFN9	MOTOROLA	获取价格	32KX18 CACHE SRAM, 9ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
MCM67H518FN10	MOTOROLA	获取价格	32K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM67H518FN12	MOTOROLA	获取价格	32K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM67H518FN18	MOTOROLA	获取价格	32KX18 CACHE SRAM, 18ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
MCM67H518FN9	MOTOROLA	获取价格	32K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM67H618A	MOTOROLA	获取价格	64K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM67H618AFN10	MOTOROLA	获取价格	64K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM67H618AFN12	MOTOROLA	获取价格	64K x 18 Bit BurstRAM Synchronous Fast Static RAM
MCM67H618AFN8.5	MOTOROLA	获取价格	64KX18 CACHE SRAM, 8.5ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52