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MCM67H618AFN8.5

更新时间: 2024-11-25 21:10:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 453K
描述
64KX18 CACHE SRAM, 8.5ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

MCM67H618AFN8.5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, LCC-52Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:8.5 ns
其他特性:SELF-TIMED WRITE; BYTE WRITE; BURST COUNTERI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PQCC-J52JESD-609代码:e0
长度:19.1262 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
功能数量:1端口数量:1
端子数量:52字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX18输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC52,.8SQ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.57 mm
最大待机电流:0.095 A最小待机电流:4.75 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.29 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:BICMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:19.1262 mmBase Number Matches:1

MCM67H618AFN8.5 数据手册

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