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MCM67J618FN9

更新时间: 2024-11-10 19:59:19
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 353K
描述
64KX18 CACHE SRAM, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

MCM67J618FN9 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, LCC-52Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:9 ns
其他特性:OUTPUT REGISTERI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PQCC-J52JESD-609代码:e0
长度:19.1262 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
功能数量:1端口数量:1
端子数量:52字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX18输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:LDCC52,.8SQ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.57 mm最大待机电流:0.075 A
最小待机电流:4.75 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.275 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:19.1262 mmBase Number Matches:1

MCM67J618FN9 数据手册

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