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MB84VF5F5F5J2-70PBS

更新时间: 2024-09-17 20:03:15
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
59页 872K
描述
Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA107, PLASTIC, FBGA-107

MB84VF5F5F5J2-70PBS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:LFBGA, BGA107,10X12,32Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.29
最长访问时间:70 ns其他特性:MOBILE FCRAM IS ORGANISED AS 4M X 16
JESD-30 代码:R-PBGA-B107JESD-609代码:e0
长度:10 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT内存宽度:16
混合内存类型:FLASH+SRAM功能数量:1
端子数量:107字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-30 °C
组织:4MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装等效代码:BGA107,10X12,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.4 mm
最大待机电流:0.00015 A子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.048 mA最大供电电压 (Vsup):3.1 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:9 mmBase Number Matches:1

MB84VF5F5F5J2-70PBS 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-50401-1E  
3 Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH & FLASH & FCRAM  
CMOS  
64M (×16) FLASH MEMORY &  
64M (×16) FLASH MEMORY &  
64M (×16) Mobile FCRAM TM  
MB84VF5F5F5J2-70  
FEATURES  
• Power supply voltage of 2.7 V to 3.1 V  
• High performance  
70 ns maximum access time (Flash_1or Flash_2)  
70 ns maximum access time (FCRAM)  
• Operating Temperature  
–30 °C to +85 °C  
• Package 107-ball FBGA  
(Continued)  
PRODUCT LINEUP  
Flash_1 or Flash_2  
FCRAM  
VCCr* = 2.7 V to 3.1 V  
Supply Voltage (V)  
VCCf_1*/VCCf_2* = 2.7 V to 3.1 V  
Max Address Access Time (ns)  
Max CE Access Time (ns)  
Max OE Access Time (ns)  
70  
70  
30  
65  
65  
40  
*: All of VCCf_1, VCCf_2, and VCCr must be the same level when either part is being accessed.  
PACKAGE  
107-ball plastic FBGA  
BGA-107P-M01  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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