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MB84VZ064D-70PBS

更新时间： 2024-12-01 21:18:11
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
68页 1040K
描述
Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA107, PLASTIC, FBGA-107

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MB84VZ064D-70PBS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：LFBGA, BGA107,10X12,32Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.28
最长访问时间：70 ns其他特性：MOBILE FCRAM IS ORGANISED AS 2M X 16; SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16
JESD-30 代码：R-PBGA-B107JESD-609代码：e0
长度：10 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+SRAM功能数量：1
端子数量：107字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-30 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装等效代码：BGA107,10X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大待机电流：0.0001 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：3.1 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：9 mmBase Number Matches：1

MB84VZ064D-70PBS 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-50501-1E  
4 Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH & FLASH & FCRAM & SRAM  
CMOS  
64M (×16) FLASH MEMORY &  
64M (×16) FLASH MEMORY &  
32M (×16) Mobile FCRAMTM &  
8M (×16) STATIC RAM  
MB84VZ064D-70  
■ FEATURES  
• Power Supply Voltage of 2.7 V to 3.1 V  
• High Performance  
70 ns maximum access time (Flash_1or Flash_2)  
70 ns maximum access time (FCRAM)  
70 ns maximum access time (SRAM)  
• Operating Temperature  
–30 °C to +85 °C  
• Package 107-ball FBGA  
(Continued)  
■ PRODUCT LINEUP  
Flash_1 or Flash_2  
FCRAM  
SRAM  
+0.1V  
+0.1V  
+0.1V  
Supply Voltage (V)  
VCCf_1*/VCCf_2* = 3.0 V  
70  
VCCr* = 3.0 V  
70  
VCCs* = 3.0 V  
70  
–0.3 V  
–0.3 V  
–0.3 V  
Max Address Access Time  
(ns)  
Max CE Access Time (ns)  
Max OE Access Time (ns)  
70  
30  
70  
40  
70  
35  
* : All of VCCf_1, VCCf_2, VCCr and VCCs must be the same level when either part is being accessed.  
■ PACKAGE  
107-ball plastic FBGA  
BGA-107P-M01  
1234567...68

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与MB84VZ064D-70PBS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB84VZ064D-70PBS-E1 SPANSION

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 		Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA107, PLASTIC, FBGA-107
MB84VZ064G-70PBS FUJITSU

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 		Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA107, PLASTIC, FBGA-107
MB84VZ128A FUJITSU

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 		Memory IC
MB84VZ128B-70PBS SPANSION

获取价格

 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA115, PLASTIC, FBGA-115
MB84VZ128B-70PBS-E1 SPANSION

获取价格

 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA115, PLASTIC, FBGA-115
MB84VZ128C-70PBS SPANSION

获取价格

 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA115, PLASTIC, FBGA-115
MB84VZ128C-70PBS FUJITSU

获取价格

 		Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, Hybrid, PBGA115
MB84VZ128C-70PBS-E1 SPANSION

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 		Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA115, PLASTIC, FBGA-115
MB8501E064AD-60DG FUJITSU

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 		EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168
MB8501E064AD-70DG FUJITSU

获取价格

 		EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168

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