生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | SINGLE BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 9 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PZMA-N144 |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX64 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态: | Not Qualified |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | ZIG-ZAG | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MB8501S064AE-84DG | FUJITSU |
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Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144 | |
MB8501S064CE-100DG | FUJITSU |
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1MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8.5ns, PZMA144 | |
MB8501S064CE-67SDG | FUJITSU |
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Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, PZMA144 | |
MB8502E064AA-60DG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA144 | |
MB8502E064AA-60LDG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA144 | |
MB8502E064AA-70DG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, PDMA144 | |
MB8502E064AB-60DG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA168, PLASTIC, DIMM-168 | |
MB8502E064AB-70DG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, PDMA168, PLASTIC, DIMM-168 | |
MB8502E064AC-60DG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 | |
MB8502S064AC-100DG | FUJITSU |
获取价格 |
2MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8.5ns, PDMA168 |