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MB8502S064AE-100DG

更新时间: 2024-09-17 14:53:07
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 723K
描述
Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144

MB8502S064AE-100DG 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间:8.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PZMA-N144内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:144字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX64封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:ZIG-ZAG
Base Number Matches:1

MB8502S064AE-100DG 数据手册

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