5秒后页面跳转
MB8502S064CE-84LDG PDF预览

MB8502S064CE-84LDG

更新时间: 2024-11-07 19:58:27
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 741K
描述
Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144

MB8502S064CE-84LDG 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:8.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PZMA-N144
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX64
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:ZIG-ZAGBase Number Matches:1

MB8502S064CE-84LDG 数据手册

 浏览型号MB8502S064CE-84LDG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MB8502S064CE-84LDG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MB8502S064CE-84LDG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MB8502S064CE-84LDG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MB8502S064CE-84LDG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MB8502S064CE-84LDG的Datasheet PDF文件第7页 

与MB8502S064CE-84LDG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB8502S064CE-84SDG FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144
MB8502S064EG-84DG FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA168
MB8502S072AG-100DG FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 2MX72, 8.5ns, CMOS, PDMA168
MB8502S072AG-84DG FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 2MX72, 8.5ns, CMOS, PDMA168
MB8504D064AA-60DG FUJITSU

获取价格

4MX64 FAST PAGE DRAM MODULE, 60ns, PDMA168, PLASTIC, DIMM-168
MB8504D064AA-70DG FUJITSU

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, PDMA168, PLASTIC, DIMM-168
MB8504E032AA-60SG FUJITSU

获取价格

EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, PSMA72, PLASTIC, SIMM-72
MB8504E032AA-70SS FUJITSU

获取价格

EDO DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, PSMA72, PLASTIC, SIMM-72
MB8504E036AA-60SS FUJITSU

获取价格

EDO DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, PSMA72, PLASTIC, SIMM-72
MB8504E036AA-70SG FUJITSU

获取价格

EDO DRAM Module, 4MX36, 70ns, CMOS, PSMA72, PLASTIC, SIMM-72