生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | SINGLE BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 9 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PZMA-N144 | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 144 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX64 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态: | Not Qualified | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | ZIG-ZAG |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MB8502E064AA-60DG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA144 | |
MB8502E064AA-60LDG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA144 | |
MB8502E064AA-70DG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, PDMA144 | |
MB8502E064AB-60DG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA168, PLASTIC, DIMM-168 | |
MB8502E064AB-70DG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, PDMA168, PLASTIC, DIMM-168 | |
MB8502E064AC-60DG | FUJITSU |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 | |
MB8502S064AC-100DG | FUJITSU |
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2MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8.5ns, PDMA168 | |
MB8502S064AC-67DG | FUJITSU |
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暂无描述 | |
MB8502S064AC-84DG | FUJITSU |
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Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA168 | |
MB8502S064AE-100DG | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144 |