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MB8502E064AB-60DG

更新时间: 2024-09-17 21:19:59
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 600K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA168, PLASTIC, DIMM-168

MB8502E064AB-60DG 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESHJESD-30 代码:R-PDMA-N168
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX64
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MB8502E064AB-60DG 数据手册

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