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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LFBGA, |
| 针数： | 115 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.69 |
| 其他特性： | FCRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16; SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16; CONTAINS ADDITIONAL 4M X 16 FLASH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B115 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 115 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 8MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.35 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.1 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MB8501E064AD-60DG | FUJITSU |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168 |
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| MB8501E064AD-70DG | FUJITSU |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168 |
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| MB8501S064AC-100DG | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA168 |
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| MB8501S064AC-67DG | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, PDMA168 |
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| MB8501S064AC-84DG | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA168 |
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| MB8501S064AD-100DG | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA144 |
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| MB8501S064AD-67DG | FUJITSU |
获取价格 |
1MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 9ns, PDMA144 |
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| MB8501S064AD-84DG | FUJITSU |
获取价格 |
1MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8.5ns, PDMA144 |
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| MB8501S064AE-100DG | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144 |
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| MB8501S064AE-67DG | FUJITSU |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, PZMA144 |
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