5秒后页面跳转
MB8501S064AC-67DG PDF预览

MB8501S064AC-67DG

更新时间: 2024-12-01 15:40:51
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 699K
描述
Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, PDMA168

MB8501S064AC-67DG 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:9 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDMA-N168
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX64
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MB8501S064AC-67DG 数据手册

 浏览型号MB8501S064AC-67DG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MB8501S064AC-67DG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MB8501S064AC-67DG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MB8501S064AC-67DG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MB8501S064AC-67DG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MB8501S064AC-67DG的Datasheet PDF文件第7页 

与MB8501S064AC-67DG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB8501S064AC-84DG FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA168
MB8501S064AD-100DG FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA144
MB8501S064AD-67DG FUJITSU

获取价格

1MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 9ns, PDMA144
MB8501S064AD-84DG FUJITSU

获取价格

1MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8.5ns, PDMA144
MB8501S064AE-100DG FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144
MB8501S064AE-67DG FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, PZMA144
MB8501S064AE-84DG FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144
MB8501S064CE-100DG FUJITSU

获取价格

1MX64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8.5ns, PZMA144
MB8501S064CE-67SDG FUJITSU

获取价格

Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, PZMA144
MB8502E064AA-60DG FUJITSU

获取价格

EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, PDMA144