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MB84VZ064G-70PBS

更新时间： 2024-09-17 19:56:43

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
69页	983K
描述
Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA107, PLASTIC, FBGA-107

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MB84VZ064G-70PBS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	LFBGA, BGA107,10X12,32	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.76
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	MOBILE FCRAM IS ORGANISED AS 4M X 16; SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B107	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	107	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA107,10X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大待机电流：	0.00015 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.053 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.1 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

MB84VZ064G-70PBS 数据手册

MB84VZ064G-70

Data Sheet

July 2003

The following document specifies Spansion memory products that are now offered by both Advanced Micro Devices

and Fujitsu. Although the document is marked with the name of the company that originally developed the specifi-

cation, these products will be offered to customers of both AMD and Fujitsu.

Continuity of Specifications

There is no change to this datasheet as a result of offering the device as a Spansion product. Any changes that

have been made are the result of normal datasheet improvement and are noted in the document revision summary,

where supported. Future routine revisions will occur when appropriate, and changes will be noted in a revision sum-

mary.

Continuity of Ordering Part Numbers

AMD and Fujitsu continue to support existing part numbers beginning with “Am” and “MBM”. To order these prod-

ucts, please use only the Ordering Part Numbers listed in this document.

For More Information

Please contact your local AMD or Fujitsu sales office for additional information about Spansion memory solutions.

Publication Number 26829 Revision A Amendment 0 Issue Date October 25, 2002

12 3 4 5 6 7...69

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB84VZ128A	FUJITSU	获取价格	Memory IC
MB84VZ128B-70PBS	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA115, PLASTIC, FBGA-115
MB84VZ128B-70PBS-E1	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA115, PLASTIC, FBGA-115
MB84VZ128C-70PBS	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA115, PLASTIC, FBGA-115
MB84VZ128C-70PBS	FUJITSU	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, Hybrid, PBGA115
MB84VZ128C-70PBS-E1	SPANSION	获取价格	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA115, PLASTIC, FBGA-115
MB8501E064AD-60DG	FUJITSU	获取价格	EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, PDMA168
MB8501E064AD-70DG	FUJITSU	获取价格	EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, PDMA168
MB8501S064AC-100DG	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA168
MB8501S064AC-67DG	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, PDMA168

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