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LMG2610RRGT

更新时间: 2024-11-20 11:12:11
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德州仪器 - TI 驱动驱动器
页数 文件大小 规格书
44页 1625K
描述
具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 | RRG | 40 | -40 to 125

LMG2610RRGT 数据手册

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LMG2610  
ZHCSNW8A OCTOBER 2022 REVISED DECEMBER 2022  
LMG2610 用于有源钳位反激式转换器的集650V GaN 半桥  
1 特性  
3 说明  
650V GaN FET 半桥  
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥适用于  
开关模式电源应用中 < 75W 的有源钳位反激式 (ACF)  
转换器。LMG2610 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中  
集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧  
栅极驱动电平转换器简化了设计、减少了元件数量并  
减小了布板空间。  
170m低侧248mGaN FET  
• 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅  
极驱动器  
• 具有高带宽和高精度的电流检测仿真  
• 低侧/高侧栅极驱动互锁  
• 高侧栅极驱动信号电平转换器  
• 智能开关自举二极管功能  
• 高侧启动< 8us  
非对称 GaN FET 电阻针对 ACF 工作条件进行了优  
化。可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。与传  
统的电流检测电阻相比低侧电流检测仿真可降低功  
并允许将低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源接  
地。  
• 低侧/高侧逐周期过流保护  
• 通FLT 引脚报告实现过热保护  
AUX 空闲静态电流240μA  
AUX 待机静态电流50μA  
BST 空闲静态电流60μA  
• 最大电源和输入逻辑引脚电压26V  
• 具有双散热焊盘9mm x 7mm QFN 封装  
高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出  
现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自  
FET 没有二极管正向压降可避免高侧电源过充,  
并且反向恢复电荷为零。  
LMG2610 具有低静态电流和快速启动时间支持转换  
器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括  
FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和  
过热关断。  
2 应用  
• 有源钳位反激式电源转换器  
• 交流/直流适配器和充电器  
• 交流/USB 墙壁插座电源  
• 交流/直流辅助电源  
器件信息  
器件型号  
(1)  
封装尺寸标称值)  
LMG2610  
QFN  
9.00 mm x 7.00 mm  
DH  
BST  
HS  
GaN  
Level  
Shift RX  
Driver  
RDRVH  
AUX  
Level  
Shift TX  
INH  
SW  
EN  
Control  
FLT  
LS  
GaN  
INL  
Driver  
RDRVL  
Current  
Emulation  
CS  
SL  
AGND  
简化版方框图  
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English Data Sheet: SNOSDE2  
 
 
 

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