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LMG3410R150

更新时间： 2024-02-26 05:47:44

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德州仪器 - TI		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
30页	1613K
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具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

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LMG3410R150 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	HQCCN,
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	12 weeks
可调阈值：	NO	模拟集成电路 - 其他类型：	POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：	S-PQCC-N32	JESD-609代码：	e4
长度：	8 mm	湿度敏感等级：	3
信道数量：	1	功能数量：	1
端子数量：	32	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HQCCN	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG	座面最大高度：	0.9 mm
最大供电电压 (Vsup)：	18 V	最小供电电压 (Vsup)：	9.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	12 V	表面贴装：	YES
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

LMG3410R150 数据手册

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LMG3411R150, LMG3410R150

ZHCSJF9A –MARCH 2019–REVISED JUNE 2019

具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR150 600V 150mΩ GaN

1 特性

2 应用

•

TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠

性加速测试

•

高密度工业电源和消费类电源

用于笔记本电脑、平板电脑、电视机、机顶盒和打

印机的高密度交流/直流适配器

•

支持高密度电源转换设计

•

光伏逆变器

–

与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系

统性能

工业电机驱动

–

低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布

局

3 说明

–

可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制

数字故障状态输出信号

LMG341xR150 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功

能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功

率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅

MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损

耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节

点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高

效拓扑。

仅需 +12V 非稳压电源

•

集成栅极驱动器

–

零共源电感

20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率

工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性

25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率

逐周期过流保护

LMG341xR150 通过集成一系列独特的特性提供了传

统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，

以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的

性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振

铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击

穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可

提供自监控功能。

强大的保护

–

无需外部保护组件

过流保护，响应时间低于 100ns

压摆率抗扰性高于 150V/ns

瞬态过压抗扰度

过热保护

器件信息⁽¹⁾

针对所有电源轨的 UVLO 保护

器件型号

封装

封装尺寸（标称值）

•

器件选项：

LMG341xR150

QFN (32)

8.00mm x 8.00mm

–

LMG3410R150：锁存过流保护

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品

附录。

LMG3411R150：逐周期过流保护

简化方框图

高于 100V/ns 时的开关性能

Direct-Drive

Slew Rate

600 V

GaN

R_DRV

V_DD

VNEG

Current

LDO, OCP, OTP,

BB UVLO

5 V

FAULT

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SNOSD91

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
LMG3410R150RWHR	TI	具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN \| RWH \| 32 \| -	获取价格
LMG3410R150RWHT	TI	具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN \| RWH \| 32 \| -	获取价格
LMG3411R050	TI	具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN	获取价格
LMG3411R050RWHR	TI	具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN \| RWH \| 32 \|	获取价格
LMG3411R050RWHT	TI	具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN \| RWH \| 32 \|	获取价格
LMG3411R070	TI	具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN	获取价格

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