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LMG3411R150RWHR

更新时间： 2024-12-01 11:12:51
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德州仪器 - TI 驱动驱动器
页数 文件大小 规格书
30页 1613K
描述
具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN | RWH | 32 | -40 to 150

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LMG3411R150RWHR 数据手册

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LMG3411R150, LMG3410R150  
ZHCSJF9A –MARCH 2019–REVISED JUNE 2019  
具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR150 600V 150mΩ GaN  
1 特性  
2 应用  
1
•
TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠  
性加速测试  
•
•
高密度工业电源和消费类电源  
用于笔记本电脑、平板电脑、电视机、机顶盒和打  
印机的高密度交流/直流适配器  
•
支持高密度电源转换设计  
•
•
光伏逆变器  
–
与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系  
统性能  
工业电机驱动  
–
低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布  
局
3 说明  
–
–
–
可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制  
数字故障状态输出信号  
LMG341xR150 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功  
能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功  
率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅  
MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损  
耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节  
点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高  
效拓扑。  
仅需 +12V 非稳压电源  
•
•
集成栅极驱动器  
–
–
–
–
–
零共源电感  
20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率  
工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性  
25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率  
逐周期过流保护  
LMG341xR150 通过集成一系列独特的 特性 提供了传  
统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，  
以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的  
性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振  
铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击  
穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可  
提供自监控功能。  
强大的保护  
–
–
–
–
–
–
无需外部保护组件  
过流保护，响应时间低于 100ns  
压摆率抗扰性高于 150V/ns  
瞬态过压抗扰度  
过热保护  
器件信息(1)  
针对所有电源轨的 UVLO 保护  
器件型号  
封装  
封装尺寸（标称值）  
•
器件选项：  
LMG341xR150  
QFN (32)  
8.00mm x 8.00mm  
–
–
LMG3410R150：锁存过流保护  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品  
附录。  
LMG3411R150：逐周期过流保护  
简化方框图  
高于 100V/ns 时的开关性能  
D
Direct-Drive  
Slew Rate  
600 V  
GaN  
S
RDRV  
IN  
VDD  
VNEG  
Current  
LDO, OCP, OTP,  
BB UVLO  
5 V  
FAULT  
S
1
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SNOSD91  
 
 
 
 
1234567...30

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LMG3411R150RWHT TI

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 		具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN | RWH | 32
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