Datasheet > LMG3526R050

LMG3526R050

更新时间： 2024-09-24 15:18:43

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
48页	3275K
描述
具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50m? GaN FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LMG3526R050 数据手册

LMG3526R050

ZHCSSY7 –SEPTEMBER 2023

LMG3526R050 650V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET

1 特性

3 说明

• 具有集成栅极驱动器的650V GaN-on-Si FET

LMG3526R050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功

能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更

高水平的功率密度和效率。

– 集成高精度栅极偏置电压

– 200V/ns FET 释抑

– 3.63.6MHz 开关频率

– 15-V/ns 至150V/ns 压摆率，用于优化开关性能

和缓解EMI

LMG3526R050 集成了一个硅驱动器，可实现高达

150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI

的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种

集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关

电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱

动强度允许将压摆率控制在15V/ns 至150V/ns 之间，

这可用于主动控制EMI 并优化开关性能。

– 在7.5V 至18V 电源下工作

• 强大的保护

– 响应时间少于100ns 的逐周期过流和锁存短路

保护

– 硬开关时可承受720V 浪涌

– 针对内部过热和UVLO 监控的自我保护

• 高级电源管理

高级功能包括数字温度报告、故障检测和零电压检测

(ZVD)。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出

进行报告。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监

控。ZVD 功能可在实现零电压开关 (ZVS) 时提供来自

ZVD 引脚的脉冲输出。

– 数字温度PWM 输出

• 顶部冷却12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和

散热路径分开，可实现更低的电源环路电感

• 有助于实现软开关转换器的零电压检测功能

封装信息

封装⁽¹⁾

封装尺寸⁽²⁾

器件型号

2 应用

RQS（VQFN，

52）

LMG3526R050

12.00mm × 12.00mm

• 开关模式电源转换器

• 商用网络和服务器PSU

• 商用通信电源整流器

• 光伏逆变器和工业电机驱动器

• 不间断电源

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

(2) 封装尺寸（长× 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。

DRAIN

Direct-Drive

SOURCE

Slew

Rate

GaN

RDRV

VDD

VNEG

LDO,

OCP, SCP,

OTP, UVLO

Current

LDO5V

TEMP

FAULT

ZVD

SOURCE

高于100V/ns 时的开关性能

简化版方框图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLUSFE3

12 3 4 5 6 7...48

中文翻译

下载PDF

与LMG3526R050相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LMG3526R050RQSR	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET
LMG3526R050RQST	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET
LMG3612	TI	获取价格	具有集成驱动器和保护功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612REQR	TI	获取价格	具有集成驱动器和保护功能的 650V 120mΩ GaN FE
LMG3616	TI	获取价格	具有集成驱动器和保护功能的 650V 270mΩ GaN FET
LMG3616REQR	TI	获取价格	具有集成驱动器和保护功能的 650V 270mΩ GaN FE
LMG3622	TI	获取价格	具有集成驱动器以及保护和电流检测仿真功能的 650V 120mΩ GaN FE
LMG3622REQR	TI	获取价格	具有集成驱动器以及保护和电流检测仿真功能的 650V 120mΩ GaN
LMG3624	TI	获取价格	具有集成驱动器以及保护和电流检测仿真功能的 650V 170mΩ GaN FE
LMG3626	TI	获取价格	具有集成驱动器以及保护和电流检测仿真功能的 650V 270mΩ GaN FE

与LMG3526R050相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

4
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

6
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

78
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

68

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LMG3526R050

LMG3526R050 数据手册

与LMG3526R050相关器件

与LMG3526R050相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LMG3526R050

LMG3526R050 数据手册

与LMG3526R050相关器件

与LMG3526R050相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？