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LMG5200

更新时间： 2023-09-03 20:37:08

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德州仪器 - TI		/
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28页	1465K
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80V GaN 半桥功率级

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LMG5200 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	QMA,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.52
模拟集成电路 - 其他类型：	ANALOG CIRCUIT	JESD-30 代码：	R-PQMA-N9
长度：	8 mm	湿度敏感等级：	3
信道数量：	1	功能数量：	1
端子数量：	9	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QMA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
座面最大高度：	1.255 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

LMG5200 数据手册

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LMG5200

ZHCSFT3D –MARCH 2015–REVISED MARCH 2017

LMG5200 80V、10A GaN 半桥功率级

1 特性

3 说明

•

集成 15mΩ GaN FET 和驱动器

LMG5200 器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥

功率级，采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套

集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN

FET，它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动

器提供驱动。

80V 连续电压，100V 脉冲电压额定值

封装经过优化，可实现简单的 PCB 布局，无需考

虑底层填料、爬电和余隙要求

•

超低共源电感可确保实现高压摆率开关，同时在硬

开关拓扑中不会造成过度振铃

GaN FET 在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢

复电荷几乎为零，输入电容 C_ISS也非常小。所有器件

均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少

了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm

× 2mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

•

非常适合隔离式和非隔离式应用

栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率

内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱

电源轨欠压锁定保护

优异的传播延迟（典型值为 29.5ns）和匹配（典型

值为 2ns）

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VCC 电压如

何，都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电

压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于

安全的工作范围内。

•

低功耗

2 应用

•

宽 V_IN数兆赫兹同步降压转换器

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了

分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及

小尺寸要求的应用而言，该器件堪称理想的解决方

案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时，LMG5200 能

够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。

D 类音频放大器

适用于电信、工业和企业计算的 48V 负载点 (POL)

转换器

•

高功率密度单相和三相电机驱动

器件信息⁽¹⁾

器件型号

LMG5200

封装

封装尺寸（标称值）

6.00mm × 8.00mm

QFM (9)

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品

附录。已更正中的印刷错误

简化框图

LMG5200

VIN

GaN Driver

VCC

AGND

PGND

VCC

AGND

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SNOSCY4

12 3 4 5 6 7...28

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LMG5200MOFR	TI	获取价格	80V GaN 半桥功率级 \| MOF \| 9 \| -40 to 125
LMG5200MOFT	TI	获取价格	80V GaN 半桥功率级 \| MOF \| 9 \| -40 to 125
LMG5278XUFC-00T	HITACHI	获取价格	INTERFACE SPECIFICATION
LMG6382QHFR	HITACHI	获取价格	LCD MODULE REFLECTIVE FILM BLACK & WHITE MODE WITH BULT-IN CONTROLLER AND RAM
LMG6402PLFR	HITACHI	获取价格	Optoelectronic Device
LMG7400PLFC	HITACHI	获取价格	240 128 DOTS
LMG7402PLFF	HITACHI	获取价格	240 128 DOTS
LMG7420PLFC-X	HITACHI	获取价格	240 128 DOTS
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