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LMG5200MOFR

更新时间： 2024-11-08 11:15:03
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德州仪器 - TI /
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28页 1465K
描述
80V GaN 半桥功率级 | MOF | 9 | -40 to 125

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LMG5200MOFR 数据手册

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LMG5200  
ZHCSFT3D –MARCH 2015–REVISED MARCH 2017  
LMG5200 80V、10A GaN 半桥功率级  
1 特性  
3 说明  
1
•
•
•
集成 15mΩ GaN FET 和驱动器  
LMG5200 器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥  
功率级，采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套  
集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN  
FET，它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动  
器提供驱动。  
80V 连续电压，100V 脉冲电压额定值  
封装经过优化，可实现简单的 PCB 布局，无需考  
虑底层填料、爬电和余隙要求  
•
超低共源电感可确保实现高压摆率开关，同时在硬  
开关拓扑中不会造成过度振铃  
GaN FET 在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢  
复电荷几乎为零，输入电容 CISS 也非常小。所有器件  
均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少  
了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm  
× 2mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。  
•
•
•
•
•
非常适合隔离式和非隔离式 应用  
栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率  
内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱  
电源轨欠压锁定保护  
优异的传播延迟（典型值为 29.5ns）和匹配（典型  
值为 2ns）  
该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VCC 电压如  
何，都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电  
压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于  
安全的工作范围内。  
•
低功耗  
2 应用  
•
•
•
宽 VIN 数兆赫兹同步降压转换器  
该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了  
分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及  
小尺寸要求的 应用 而言，该器件堪称理想的解决方  
案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时，LMG5200 能  
够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。  
D 类音频放大器  
适用于电信、工业和企业计算的 48V 负载点 (POL)  
转换器  
•
高功率密度单相和三相电机驱动  
器件信息(1)  
器件型号  
LMG5200  
封装  
封装尺寸（标称值）  
6.00mm × 8.00mm  
QFM (9)  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品  
附录。已更正中的印刷错误  
简化框图  
HS  
3
HB  
2
LMG5200  
1
8
9
VIN  
HS  
HB  
HI  
LI  
4
5
HI  
LI  
HO  
LO  
SW  
GaN Driver  
VCC  
AGND  
PGND  
6
7
VCC  
AGND  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SNOSCY4  
 
 
 
 
 
 
1234567...28

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 80V GaN 半桥功率级 | MOF | 9 | -40 to 125

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LMG5200MOFT TI

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