LMG3422R050, LMG3425R050
ZHCSNN4B –OCTOBER 2020 –REVISED MAY 2022
LMG342xR050 600V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET
1 特性
3 说明
LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功
能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功
率密度和效率。
• 符合面向硬开关拓扑的JEDEC JEP180 标准
• 带集成栅极驱动器的600-V GaN-on-Si FET
– 集成高精度栅极偏置电压
– 200V/ns CMTI
– 3.6MHz 开关频率
– 20V/ns 至150V/ns 压摆率,用于优化开关性能
和缓解EMI
LMG342xR050 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150
V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的
集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集
成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关电
源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动
强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间,
这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。
LMG3425R050 包含理想二极管模式,该模式通过启
用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。
– 在7.5V 至18V 电源下工作
• 强大的保护
– 响应时间少于100 ns 的逐周期过流和锁存短路
保护
– 硬开关时可承受720V 浪涌
– 针对内部过热和UVLO 监控的自我保护
• 高级电源管理
高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。
GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报
告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过
流和UVLO 监控。
– 数字温度PWM 输出
– 理想二极管模式可减少LMG3425R050 中的第
三象限损耗
器件信息
封装(1)
2 应用
封装尺寸(标称值)
器件型号
LMG3422R050
LMG3425R050
• 高密度工业电源
• 光伏逆变器和工业电机驱动器
• 不间断电源
• 商用网络和服务器PSU
• 商用电信整流器
VQFN (54)
12.00mm x 12.00mm
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
DRAIN
Direct-Drive
Slew
GaN
Rate
SOURCE
RDRV
IN
VDD
VNEG
LDO,
BB
OCP, SCP,
OTP, UVLO
Current
LDO5V
TEMP
FAULT
OC
SOURCE
简化版方框图
高于100 V/ns 时的开关性能
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