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LMG3422R050RQZR

更新时间： 2024-11-18 11:10:47

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德州仪器 - TI		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
49页	2306K
描述
具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET \| RQZ \| 54 \| -40 to 150

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LMG3422R050RQZR 数据手册

LMG3422R050, LMG3425R050

ZHCSNN4B –OCTOBER 2020 –REVISED MAY 2022

LMG342xR050 600V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET

1 特性

3 说明

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功

能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功

率密度和效率。

• 符合面向硬开关拓扑的JEDEC JEP180 标准

• 带集成栅极驱动器的600-V GaN-on-Si FET

– 集成高精度栅极偏置电压

– 200V/ns CMTI

– 3.6MHz 开关频率

– 20V/ns 至150V/ns 压摆率，用于优化开关性能

和缓解EMI

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150

V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的

集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集

成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电

源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动

强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间，

这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

LMG3425R050 包含理想二极管模式，该模式通过启

用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。

– 在7.5V 至18V 电源下工作

• 强大的保护

– 响应时间少于100 ns 的逐周期过流和锁存短路

保护

– 硬开关时可承受720V 浪涌

– 针对内部过热和UVLO 监控的自我保护

• 高级电源管理

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。

GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报

告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过

流和UVLO 监控。

– 数字温度PWM 输出

– 理想二极管模式可减少LMG3425R050 中的第

三象限损耗

器件信息

封装⁽¹⁾

2 应用

封装尺寸（标称值）

器件型号

LMG3422R050

LMG3425R050

• 高密度工业电源

• 光伏逆变器和工业电机驱动器

• 不间断电源

• 商用网络和服务器PSU

• 商用电信整流器

VQFN (54)

12.00mm x 12.00mm

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

DRAIN

Direct-Drive

Slew

GaN

Rate

SOURCE

RDRV

VDD

VNEG

LDO,

OCP, SCP,

OTP, UVLO

Current

LDO5V

TEMP

FAULT

SOURCE

简化版方框图

高于100 V/ns 时的开关性能

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LMG3422R050RQZT	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET \| RQZ \|
LMG3425R030	TI	获取价格	LMG342xR030 600-V 30-mÎ© GaN FET With Integra
LMG3426R030	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET
LMG3426R030RQZR	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET
LMG3426R030RQZT	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET
LMG3426R050	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50m? GaN FET
LMG3426R050RQZR	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET
LMG3426R050RQZT	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET
LMG342XR030	TI	获取价格	LMG342xR030 600-V 30-mÎ© GaN FET With Integra
LMG3522R030	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET

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