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LMG3422R050RQZR

更新时间: 2023-09-03 20:27:55
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德州仪器 - TI 驱动驱动器
页数 文件大小 规格书
49页 2306K
描述
具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET | RQZ | 54 | -40 to 150

LMG3422R050RQZR 数据手册

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LMG3422R050, LMG3425R050  
ZHCSNN4B OCTOBER 2020 REVISED MAY 2022  
LMG342xR050 600V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能GaN FET  
1 特性  
3 说明  
LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功  
可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功  
率密度和效率。  
• 符合面向硬开关拓扑JEDEC JEP180 标准  
• 带集成栅极驱动器600-V GaN-on-Si FET  
– 集成高精度栅极偏置电压  
200V/ns CMTI  
3.6MHz 开关频率  
20V/ns 150V/ns 压摆率用于优化开关性能  
和缓EMI  
LMG342xR050 集成了一个硅驱动器可实现高达 150  
V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比TI 的  
集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集  
成特性与 TI 的低电感封装技术相结合可在硬开关电  
源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动  
强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 150 V/ns 之间,  
这可用于主动控制 EMI 优化开关性能。  
LMG3425R050 包含理想二极管模式该模式通过启  
用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。  
7.5V 18V 电源下工作  
• 强大的保护  
– 响应时间少100 ns 的逐周期过流和锁存短路  
保护  
– 硬开关时可承720V 浪涌  
– 针对内部过热UVLO 监控的自我保护  
• 高级电源管理  
高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。  
GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报  
这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过  
UVLO 监控。  
– 数字温PWM 输出  
– 理想二极管模式可减LMG3425R050 中的第  
三象限损耗  
器件信息  
(1)  
2 应用  
封装尺寸标称值)  
器件型号  
LMG3422R050  
LMG3425R050  
• 高密度工业电源  
• 光伏逆变器和工业电机驱动器  
• 不间断电源  
商用网络和服务PSU  
商用电信整流器  
VQFN (54)  
12.00mm x 12.00mm  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
DRAIN  
Direct-Drive  
Slew  
GaN  
Rate  
SOURCE  
RDRV  
IN  
VDD  
VNEG  
LDO,  
BB  
OCP, SCP,  
OTP, UVLO  
Current  
LDO5V  
TEMP  
FAULT  
OC  
SOURCE  
简化版方框图  
100 V/ns 时的开关性能  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
www.ti.com其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SNOSDA8  
 
 
 
 

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