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LMG3522R030-Q1

更新时间： 2023-09-03 20:35:37
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 驱动驱动器
页数 文件大小 规格书
41页 2549K
描述
具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET

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LMG3522R030-Q1 数据手册

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LMG3522R030-Q1  
ZHCSNE5C –OCTOBER 2020 –REVISED JUNE 2023  
LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN  
FET  
1 特性  
3 说明  
• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准  
LMG3522R030-Q1 GaN FET 具有集成式驱动器和保  
护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实  
现更高水平的功率密度和效率。  
– 温度等级1：–40°C 至+125°C，TA  
– 结温：–40°C 至+150°C，TJ  
• 具有集成栅极驱动器的650V GaN-on-Si FET  
LMG3522R030-Q1 集成了一个硅驱动器，可实现高达  
150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI  
的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种  
集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关  
电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱  
动强度允许将压摆率控制在20V/ns 至150V/ns 之间，  
这可用于主动控制EMI 并优化开关性能。  
– 集成高精度栅极偏置电压  
– 200V/ns FET 释抑  
– 23.6MHz 开关频率  
– 20V/ns 至150V/ns 压摆率，用于优化开关性能  
和缓解EMI  
– 在7.5V 至18V 电源下工作  
• 强大的保护  
高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。  
GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报  
告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过  
流和UVLO 监控。  
– 响应时间少于100ns 的逐周期过流和锁存短路  
保护  
– 硬开关时可承受720V 浪涌  
– 针对内部过热和UVLO 监控的自我保护  
• 高级电源管理  
封装信息  
封装(1)  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
– 数字温度PWM 输出  
• 顶部冷却12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和  
散热路径分开，可实现更低的电源环路电感  
LMG3522R030-Q1  
VQFN (52)  
12.00mm × 12.00mm  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
2 应用  
• 开关模式电源转换器  
• 商用网络和服务器PSU  
• 商用通信电源整流器  
• 车载充电器(OBC) 和无线充电器  
• 直流/直流转换器  
DRAIN  
Direct-Drive  
Slew  
GaN  
Rate  
SOURCE  
RDRV  
IN  
VDD  
VNEG  
LDO,  
BB  
OCP, SCP,  
OTP, UVLO  
Current  
LDO5V  
TEMP  
FAULT  
OC  
SOURCE  
高于100V/ns 时的开关性能  
简化版方框图  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SNOSD97  
 
 
 
 
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