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LMG3422R050

更新时间： 2024-11-18 11:10:47

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德州仪器 - TI		驱动驱动器
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49页	2306K
描述
具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET

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LMG3422R050 数据手册

LMG3422R050, LMG3425R050

ZHCSNN4B –OCTOBER 2020 –REVISED MAY 2022

LMG342xR050 600V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET

1 特性

3 说明

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功

能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功

率密度和效率。

• 符合面向硬开关拓扑的JEDEC JEP180 标准

• 带集成栅极驱动器的600-V GaN-on-Si FET

– 集成高精度栅极偏置电压

– 200V/ns CMTI

– 3.6MHz 开关频率

– 20V/ns 至150V/ns 压摆率，用于优化开关性能

和缓解EMI

LMG342xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150

V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的

集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集

成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电

源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动

强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间，

这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

LMG3425R050 包含理想二极管模式，该模式通过启

用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。

– 在7.5V 至18V 电源下工作

• 强大的保护

– 响应时间少于100 ns 的逐周期过流和锁存短路

保护

– 硬开关时可承受720V 浪涌

– 针对内部过热和UVLO 监控的自我保护

• 高级电源管理

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。

GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报

告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过

流和UVLO 监控。

– 数字温度PWM 输出

– 理想二极管模式可减少LMG3425R050 中的第

三象限损耗

器件信息

封装⁽¹⁾

2 应用

封装尺寸（标称值）

器件型号

LMG3422R050

LMG3425R050

• 高密度工业电源

• 光伏逆变器和工业电机驱动器

• 不间断电源

• 商用网络和服务器PSU

• 商用电信整流器

VQFN (54)

12.00mm x 12.00mm

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

DRAIN

Direct-Drive

Slew

GaN

Rate

SOURCE

RDRV

VDD

VNEG

LDO,

OCP, SCP,

OTP, UVLO

Current

LDO5V

TEMP

FAULT

SOURCE

简化版方框图

高于100 V/ns 时的开关性能

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

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