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LMG3410R070, LMG3411R070
ZHCSIP2E –APRIL 2016–REVISED OCTOBER 2018
具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR070 600V 70mΩ GaN
1 特性
2 应用
1
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TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠
性加速测试
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高密度工业电源和消费类电源
多电平转换器
光伏逆变器
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支持高密度电源转换设计
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与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系
统性能
工业电机驱动器
不间断电源
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低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布
局
高电压电池充电器
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可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
数字故障状态输出信号
3 说明
LMG341xR070 GaN 功率级具有集成型驱动器和保护
功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的
功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅
MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损
耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节
点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高
效拓扑。
仅需 +12V 非稳压电源
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集成栅极驱动器
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零共源电感
20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
25 到 100V/ns 的用户可调节压摆率
强大的保护
LMG341xR070 通过集成一系列独一无二的特性提供
传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的 替代产品 ,
以简化设计,最大限度地提高可靠性并优化任何电源的
性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振
铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击
穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可
提供自监控功能。
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无需外部保护组件
过流保护,响应时间低于 100ns
压摆率抗扰性高于 150V/ns
瞬态过压抗扰度
过热保护
针对所有电源轨的 UVLO 保护
•
器件选项:
器件信息(1)
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LMG3410R070:锁存过流保护
器件型号
封装
封装尺寸(标称值)
LMG3411R070:逐周期过流保护
LMG341xR070
QFN (32)
8.00mm x 8.00mm
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
简化方框图
高于 100V/ns 时的开关性能
D
Direct-Drive
Slew Rate
600 V
GaN
S
RDRV
IN
VDD
VNEG
Current
LDO, OCP, OTP,
BB UVLO
5 V
FAULT
S
1
本文档旨在为方便起见,提供有关 TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问 www.ti.com,其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确
性和有效性。 在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SNOSD10