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LMG3410R070RWHR

更新时间： 2024-11-18 11:12:23

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德州仪器 - TI		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
33页	1737K
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具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN \| RWH \| 32 \| -40 to 150

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LMG3410R070, LMG3411R070

ZHCSIP2E –APRIL 2016–REVISED OCTOBER 2018

具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR070 600V 70mΩ GaN

1 特性

2 应用

•

TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠

性加速测试

•

高密度工业电源和消费类电源

多电平转换器

光伏逆变器

•

支持高密度电源转换设计

–

与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系

统性能

工业电机驱动器

不间断电源

–

低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布

局

高电压电池充电器

–

可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制

数字故障状态输出信号

3 说明

LMG341xR070 GaN 功率级具有集成型驱动器和保护

功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的

功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅

MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损

耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节

点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高

效拓扑。

仅需 +12V 非稳压电源

•

集成栅极驱动器

–

零共源电感

20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率

工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性

25 到 100V/ns 的用户可调节压摆率

强大的保护

LMG341xR070 通过集成一系列独一无二的特性提供

传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的替代产品，

以简化设计，最大限度地提高可靠性并优化任何电源的

性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振

铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击

穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可

提供自监控功能。

–

无需外部保护组件

过流保护，响应时间低于 100ns

压摆率抗扰性高于 150V/ns

瞬态过压抗扰度

过热保护

针对所有电源轨的 UVLO 保护

•

器件选项：

器件信息⁽¹⁾

–

LMG3410R070：锁存过流保护

器件型号

封装

封装尺寸（标称值）

LMG3411R070：逐周期过流保护

LMG341xR070

QFN (32)

8.00mm x 8.00mm

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

简化方框图

高于 100V/ns 时的开关性能

Direct-Drive

Slew Rate

600 V

GaN

R_DRV

V_DD

VNEG

Current

LDO, OCP, OTP,

BB UVLO

5 V

FAULT

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SNOSD10

12 3 4 5 6 7...33

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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LMG3410R150RWHR	TI	获取价格	具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN \| RWH \| 32 \| -
LMG3410R150RWHT	TI	获取价格	具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN \| RWH \| 32 \| -
LMG3411R050	TI	获取价格	具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN
LMG3411R050RWHR	TI	获取价格	具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN \| RWH \| 32 \|
LMG3411R050RWHT	TI	获取价格	具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN \| RWH \| 32 \|
LMG3411R070	TI	获取价格	具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN
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