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LMG1210RVRT

更新时间： 2024-11-08 11:12:51

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅极驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
31页	1896K
描述
适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器 \| RVR \| 19 \| -40 to 125

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LMG1210

ZHCSHO1D –NOVEMBER 2018–REVISED JANUARY 2019

具有可调节死区时间的 LMG1210 200V、1.5A、3A 半桥 MOSFET 和

GaN FET 驱动器（适合工作频率高达 50MHz 的应用）

1 特性

3 说明

•

工作频率高达 50MHz

10ns 典型传播延迟

3.4ns 高侧至低侧匹配

4ns 最小脉宽

LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效

应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为要求超高频率、高

效率的应用而开发，具有可调节死区时间功能、极

短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配，以优化系统

效率。此部件还具备一个内部 LDO，可确保 5V 的栅

极驱动器电压（而与电源电压无关）。

•

两个控制输入选项

–

具有可调死区时间的单个 PWM 输入

独立输入模式

为了在各种应用中获得最佳性能，LMG1210 允许设计

人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当

低侧不导通时，内部开关会关闭自举二极管，以有效防

止高侧自举过度充电，并将反向恢复电荷降至最低。

GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF，以

减少额外的开关损耗。

•

1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流

外部自举二极管可实现灵活性

内部 LDO 可实现对电压轨的适应能力

高 300V/ns CMTI

HO 到 LO 的电容小于 1pF

UVLO 和过热保护

该 LMG1210 具有两种控制输入模式：独立输入模式

(IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输

入独立控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由

单个输入产生，用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调

节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度

范围内运行，并采用低电感 WQFN 封装。

低电感 WQFN 封装

2 应用

•

高速直流/直流转换器

射频封装跟踪

D 类音频放大器

E 类无线充电

高精度电机控制

器件信息⁽¹⁾

器件型号

LMG1210

封装

WQFN (19)

封装尺寸（标称值）

4.00mm × 3.00mm

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

简化的典型应用

BST

200 V

6 œ 18 V

VIN

LDO

UVLO

OTP

5 V

VDD

PWM

Dead

Time

PWM

Delay

Match

VSS

DHL

DLH

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SNOSD12

12 3 4 5 6 7...31

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LMG2610RRGR	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ Ga
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