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LMG2100R044

更新时间： 2024-11-18 15:19:23

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描述
100-V 4.4-m? half-bridge GaN FET with integrated driver and protection

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LMG2100R044 数据手册

LMG2100R044

ZHCSSI4 –JULY 2023

LMG2100R044 100V、35A GaN 半桥功率级

1 特性

3 说明

• 集成4.4mΩGaN FET 和驱动器

• 80V 连续100V 脉冲式电压额定值

• 封装经过优化，便于PCB 布局

• 5V 外部辅助电源

• 支持3.3V、5V 和12V 输入逻辑电平

• 高压摆率开关，低振铃

• 栅极驱动器支持高达10MHz 的开关频率

• 内部自举电源电压钳位，可防止GaN FET 过驱动

• 电源轨欠压锁定保护

• 出色的传播延迟（典型值29.5ns）和匹配（典型值

2ns）

• 低功耗

LMG2100R044 器件是一款 80V 连续 100V 脉冲式

35A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮

化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET，

这两者由采用半桥配置的同一高频 80V GaN FET 驱动

器进行驱动。

GaN FET 在功率转换方面优势极为显著，因为它们的

反向恢复接近零，而且输入电容 C_ISS和输出电容

C_OSS都极小。所有器件均安装在一个完全无键合线的

封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。

LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm

无铅封装，可轻松安装在PCB 上。

• 外露式顶部QFN 封装实现顶面散热

• 大型GND 焊盘实现底面散热

该器件的输入与TTL 逻辑兼容，无论VCC 电压如何，

都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳

位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全

的工作范围内。

2 应用

• 降压、升压、降压/升压转换器

• LLC 转换器

• 光伏逆变器

• 电信和服务器电源

• 电机驱动器

• 电动工具

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了

分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高

效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

器件信息

封装尺寸（标称值）

器件型号

封装

• D 类音频放大器

LMG2100R044

VQFN (16)

5.50mm × 4.50mm

LMG2100

VIN

100 V

GaN

HI 12

GaN Driver

LI 13

VCC

AGND

100 V

GaN

PGND

VCC

AGND

简化版方框图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SNOSDF9

12 3 4 5 6 7...25

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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LMG2610RRGR	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ Ga
LMG2610RRGT	TI	获取价格	具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ Ga
LMG3100R017	TI	获取价格	具有集成驱动器的 100V 1.7mΩ GaN FET
LMG3410R050	TI	获取价格	具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN
LMG3410R050RWHR	TI	获取价格	具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN \| RWH \| 32 \| -40
LMG3410R050RWHT	TI	获取价格	具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN \| RWH \| 32 \| -40
LMG3410R070	TI	获取价格	具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN
LMG3410R070RWHR	TI	获取价格	具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN \| RWH \| 32 \| -40
LMG3410R070RWHT	TI	获取价格	具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN \| RWH \| 32 \| -40

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