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LMG2610

更新时间： 2024-11-18 11:12:11

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德州仪器 - TI		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
44页	1625K
描述
具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥

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LMG2610 数据手册

LMG2610

ZHCSNW8A –OCTOBER 2022 –REVISED DECEMBER 2022

LMG2610 用于有源钳位反激式转换器的集成650V GaN 半桥

1 特性

3 说明

• 650V GaN 功率FET 半桥

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥，适用于

开关模式电源应用中 < 75W 的有源钳位反激式 (ACF)

转换器。LMG2610 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中

集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧

栅极驱动电平转换器，简化了设计、减少了元件数量并

减小了布板空间。

• 170mΩ 低侧和248mΩ 高侧GaN FET

• 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅

极驱动器

• 具有高带宽和高精度的电流检测仿真

• 低侧/高侧栅极驱动互锁

• 高侧栅极驱动信号电平转换器

• 智能开关自举二极管功能

• 高侧启动：< 8us

非对称 GaN FET 电阻针对 ACF 工作条件进行了优

化。可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。与传

统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功

耗，并允许将低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源接

地。

• 低侧/高侧逐周期过流保护

• 通过FLT 引脚报告实现过热保护

• AUX 空闲静态电流：240μA

• AUX 待机静态电流：50μA

• BST 空闲静态电流：60μA

• 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V

• 具有双散热焊盘的9mm x 7mm QFN 封装

高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出

现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自

举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，

并且反向恢复电荷为零。

LMG2610 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换

器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括

FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和

过热关断。

2 应用

• 有源钳位反激式电源转换器

• 交流/直流适配器和充电器

• 交流/直流USB 墙壁插座电源

• 交流/直流辅助电源

器件信息

器件型号

封装⁽¹⁾

封装尺寸（标称值）

LMG2610

QFN

9.00 mm x 7.00 mm

BST

GaN

Level

Shift RX

Driver

RDRVH

AUX

Level

Shift TX

INH

Control

FLT

GaN

INL

Driver

RDRVL

Current

Emulation

AGND

简化版方框图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SNOSDE2

12 3 4 5 6 7...44

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