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KTC4666

更新时间: 2024-10-01 22:47:27
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页数 文件大小 规格书
3页 325K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER)

KTC4666 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.77其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.15 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):600
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

KTC4666 数据手册

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