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KTC5200N

更新时间： 2024-10-01 17:15:51

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2页	670K
描述
TO-3P(N)

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KTC5200N 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	Base Number Matches：	1

KTC5200N 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC5200N

TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.

FEATURES

· Complementary to KTA1943N.

· Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency

Amplifier Output Stage.

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

230

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

230

Collector Current

I_B

Base Current

1.5

P_C

150

℃

Collector Power Dissipation (Tc=25℃)

Junction Temperature

T_j

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

I_EBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=230V, I_E=0

5.0

μA

V_EB=5V, I_C=0

I_C=50mA, I_B=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

230

h_FE(1) (Note) V_CE=5V, I_C=1A

160

DC Current Gain

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=5V, I_C=7A

0.40

0.9

200

I_C=8A, I_B=800mA

V_CE=5V, I_C=7A

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

3.0

1.5

f_T

V_CE=5V, I_C=1A

Transition Frequency

MHz

C_ob

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

Collector Output Capacitance

Note : h_FEClassification

R:55~110, O:80~160.

2015. 6. 30

Revision No : 0

1/2

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