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KTC4374

更新时间： 2024-11-19 02:59:11

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描述
TRANSISTOR (NPN)

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KTC4374 数据手册

RoHS

KTC4374

SOT-89

1. ^BASE

KTC4374 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

Power dissipation

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

P_CM:

500

400

mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=1mA, I_E=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic=10mA, I_B=0

I_E=1mA, I_C=0

µA

V_CB=80V, I_E=0

0.1

240

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=5V, I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=2V, I_C=50mA

DC current gain

_CE=2V, I_C=200mA

I_C=200mA, I_B=20mA

_CE=2V, I_C=5mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.4

0.8

MHz

Transition frequency

f_T

V_CE=10V, I_C=10mA

100

C_ob

Collector output capacitance

_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Range

70-140

120-240

Marking

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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