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KTC4375Y(SOT-89)

更新时间： 2024-11-18 15:36:31

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
2页	123K
描述
Transistor

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KTC4375Y(SOT-89) 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

KTC4375Y(SOT-89) 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-89

KTC4375 TRANSISTOR (NPN)

1. ^BASE

FEATURES

Low voltage

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

1.5

P_C

0.5

℃

T_J

150

-55-150

T_stg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

V_(BR)CBOI_C=1mA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=10mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=1mA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB=30V,I_E=0

0.1

320

μA

V_EB=5V,I_C=0

DC current gain

V_CE=2V,I_C=0.5A

I_C=1.5A,I_B=30mA

V_CE=2V,I_C=0.5A

V_CE=2V,I_C=500mA

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

100

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

Transition frequency

f_T

120

MHz

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

100-200

160-320

Range

Marking

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