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KTC4375

更新时间： 2024-11-19 14:51:15

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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双极型晶体管

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KTC4375 技术参数

极性：	NPN	Collector-emitter breakdown voltage：	30
Collector Current - Continuous：	1.5	DC current gain - Min：	100
DC current gain - Max：	320	Transition frequency：	150
Package：	SOT-89	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

KTC4375 数据手册

KTC4375

SOT-89 Transistor(NPN)

1. ^BASE

SOT-89

2. ^COLLECTOR

4.6

4.4

1.6

1.4

1.8

1.4

3. ^EMITTER

2.6

4.25

3.75

Features

2.4

0.8

MIN

Low voltage

0.53

0.40

2x)

0.48

0.35

1.5

0.44

0.37

0.13

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

3.0

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Units

Dimensions in inches and (millimeters)

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

1.5

P_C

0.5

℃

T_J

150

-55-150

T_stg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=1mA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=10mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=1mA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB=30V,I_E=0

0.1

320

μA

Emitter cut-off current

V_EB=5V,I_C=0

DC current gain

V_CE=2V,I_C=0.5A

I_C=1.5A,I_B=30mA

V_CE=2V,I_C=0.5A

V_CE=2V,I_C=500mA

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

100

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

Transition frequency

f_T

120

MHz

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

100-200

160-320

Range

Marking

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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