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KTC4374Y

更新时间： 2024-01-20 18:14:53

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	122K
描述
Transistor

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KTC4374Y 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

KTC4374Y 数据手册

JJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-89-3L

KTC4374

TRANSISTOR (NPN)

1. BASE

FEATURES

2. COLLECTOR

Small Flat Package

General Purpose Application

3. EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

400

℃/W

℃

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

500

R_θJA

T_j

250

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 1mA,I_E=0

I_C=10mA,I_B=0

I_E=1mA,I_C=0

V_CB=80V,I_E=0

100

240

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=5V,I_C=0

V_CE=2V, I_C=50mA

V_CE=2V, I_C=200mA

I_C=200mA,I_B=20mA

V_CE=2V, I_C=5mA

V_CB=10V,I_E=0, f=1MHz

VCE=10V,IC= 10mA

DC current gain

h_FE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

C_ob

0.4

0.8

0.55

Collector output capacitance

Transition frequency

f_T

100

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

120–240

RANK

RANGE

70–140

MARKING

A,Nov,2010

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