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KTC4377

更新时间： 2024-02-04 19:27:56

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管开关
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2页	622K
描述
TRANSISTOR (NPN)

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KTC4377 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	420
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

KTC4377 数据手册

KTC4377

SOT-89

TRANSISTOR (NPN)

1. BASE

FEATURES

Low voltage

2. COLLECTOR

3. EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P_C

0.5

℃

T_J

150

-55-150

T_stg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=1mA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=10mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=1mA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB=30V,I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

V_EB=6V,I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=1V,I_C=0.5A

V_CE=1V,I_C=2A

140

600

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

I_C=2A,I_B=50mA

V_CE=1V,I_C=2A

0.5

1.5

Transition frequency

f_T

V_CE=1V,I_C=0.5A

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

420-600

Range

Marking

140-240

200-330

300-450

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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