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KTB1370

更新时间: 2024-02-07 21:20:22
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关放大器晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
3页 418K
描述
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH CURRENT SWITCHING, POWER AMPLIFIER)

KTB1370 技术参数

生命周期:Active包装说明:TO-220IS, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.7
最大集电极电流 (IC):7 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):30 W
参考标准:AEC-Q101表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

KTB1370 数据手册

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